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Lateral carrier injection to germanium for monolithic light sources

机译:用于单片光源的横向载流子注入锗

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摘要

We propose lateral carrier injections into a Ge waveguide on a silicon-on-insulator diode for monolithic light sources. We confirmed enhanced electroluminescence from the diode under high current densities of 1 MAcm−2.
机译:我们建议将横向载流子注入绝缘体上硅二极管上的Ge波导中,以用于单片光源。我们确认了在1 MAcm -2 的高电流密度下二极管的增强电致发光。

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