Photonics Electronics Technology Research Association (PETRA), Kokubunji, Tokyo 185-8601, Japan;
机译:在硅芯片上实现锗光源的单片集成
机译:硅上单片光源的绝缘体上锗薄膜的旋转掺杂
机译:少数载流子寿命对应变锗光源性能的影响
机译:对于整体光源的横向载体注射到锗
机译:载流子注入下Er:SiO 2 / nc-Si多层膜的电学性质和红外发光。
机译:受局部载流子注入控制的双峰激子-等离子体激元光源
机译:绝缘体上锗晶片的旋涂掺杂,用于硅上的单片光源