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【24h】

Milliwatt-level power generated in the sub-terahertz range by photomixing in a metal-metal resonant cavity GaAs photoconductor

机译：通过在金属-金属谐振腔GaAs光电导体中进行光混合而在亚太赫兹范围内产生的毫瓦级功率

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It is shown from on-wafer measurement that a continuous wave output power of 0.35 mW at 305 GHz can be generated by photomixing in a metal-metal Fabry-Pérot GaAs photoconductor.

机译：从晶片上的测量表明，通过在金属-金属法布里-珀罗特GaAs光电导体中进行光混合，可以在305 GHz频率下产生0.35 mW的连续波输出功率。

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来源
《2012 Conference on Lasers and Electro-Optics.》|2012年|p.1- 2|共2页
会议地点 San Jose CA(US)
作者
Peytavit E.;
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作者单位

IEMN, UMR CNRS 8520, Université de Lille, 59652 Villeneuve d''Ascq, France;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类激光技术、微波激射技术;
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