首页> 外文会议>2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference. >Pushing the output powers of transversal multimode VECSELs beyond the 100 W barrier

【24h】

Pushing the output powers of transversal multimode VECSELs beyond the 100 W barrier

机译：将横向多模VECSEL的输出功率推到100 W以上

获取原文

获取原文并翻译 | 示例

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

Vertical-external-cavity surface-emitting laser (VECSEL) design, growth and mounting have been improved recently. We present the latest advancements which enabled us to push the output power of VECSELs beyond the 100 W barrier.

机译：垂直外腔面发射激光器（VECSEL）的设计，生长和安装最近得到了改善。我们展示了最新的进展，使我们能够将VECSEL的输出功率推到100 W以上。

著录项

来源
《2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference. 》|2012年|p.153- 154|共2页
会议地点 San Diego CA(US);San Diego CA(US)
作者
Heinen B.; Wang T.-L.; Sparenberg M.; Weber A.; Kunert B.; Hader J.; Koch S. W.; Moloney J. V.; Koch M.; Stolz W.;
展开▼
作者单位

Material Sciences Center and Department of Physics, Philipps-Universit#x00E4;

t Marburg, Marburg, D-35032, Germany;

展开▼
会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类半导体激光器件 ; 半导体激光器件 ;
关键词

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. High power superfluorescent source with stable single-transverse-mode output using a multimode Er-doped fibre [J] . Okhotnikov O.G., Sousa J.M. Electronics Letters . 1997 ,第20期

机译：高功率超荧光源，使用多模掺Er光纤，具有稳定的单横模输出
2. Single-transverse-mode near-IR superluminescent diodes with cw output power up to 100 mW [J] . E.V. Andreeva, S.N. Il’chenko, Yu.O. Kostin, Quantum electronics . 2014 ,第10期

机译：单横模近红外超发光二极管，连续波输出功率高达100 mW
3. Terahertz quantum cascade VECSEL with watt-level output power [J] . Curwen Christopher A., Reno John L., Williams Benjamin S. Applied Physics Letters . 2018 ,第1期

机译：瓦特级输出功率的太赫兹量子级联VECSEL
4. Pushing the output powers of transversal multimode VECSELs beyond the 100 W barrier [C] . Heinen B., Wang T.-L., Sparenberg M., IEEE International Semiconductor Laser Conference . 2012

机译：推动横向多模Vecsels超出100 W屏障的输出功率
5. Lateral variation in the Schottky barrier height and ballistic electron transport characteristics of gold/(100)gallium arsenide and gold/platinum silicide/(100)silicon diodes. [D] . Talin, Albert Alec. 1995

机译：金/（100）砷化镓和金/硅化铂/（100）硅二极管的肖特基势垒高度和弹道电子传输特性的横向变化。
6. An Analytical Model for Describing the Power Coupling Ratio between Multimode Fibers with Transverse Displacement and Angular Misalignment in an Optical Fiber Bend Sensor [O] . Wern Kam, Yong Sheng Ong, Sinead O’Keeffe, 2019

机译：描述光纤弯曲传感器中具有横向位移和角错位的多模光纤之间功率耦合比的解析模型
7. Close to 100 gbps discrete multitone transmission over 100m of multimode fiber using a single transverse mode 850nm vCSEL [O] . Wu B, Zhou X, Ma YA, 2016

机译：使用单个横向模式850nm vCSEL在100m多模光纤上接近100 gbps的离散多音传输

Pushing the output powers of transversal multimode VECSELs beyond the 100 W barrier

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅