首页> 外文会议>2012 23rd IEEE International Semiconductor Laser Conference. >1550 nm AlGaInAs/InP widely tunable BH laser based on arrayed DFB
【24h】

1550 nm AlGaInAs/InP widely tunable BH laser based on arrayed DFB

机译:基于阵列DFB的1550 nm AlGaInAs / InP宽可调BH激光器

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摘要

We have fabricated high performance 1550nm both solitary lasers and the 12-channel arrayed DFB/SOA integrated widely tunable lasers with buried-heterostructure configuration in the AlGaInAs/InP system. An output power of 100mW was obtained for tunable lasers at 20°C.
机译:我们已经在AlGaInAs / InP系统中制造了高性能1550nm的孤光激光器和具有掩埋异质结构配置的12通道阵列DFB / SOA集成的广泛可调激光器。对于20°C的可调激光器,其输出功率为100mW。

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