Department of Physics and Quantum Metamaterials Research Center, Ewha Womans University, Seoul 120-750, Korea;
机译:用于控制非晶氧化铟薄膜晶体管中电荷载流子密度和迁移率的掺杂剂选择:Si和W掺杂剂之间的比较
机译:斜面硅衬底中的载流子分布与掺杂原子分布之间
机译:通过钴掺杂剂的组成分数控制ZnO:Co / p-硅二极管结构的电和界面态密度特性
机译:硅衬底掺杂剂载体密度对超材料中的元共振控制
机译:用于确定碳化硅中电荷载流子和掺杂剂浓度的电表征方法的评估。
机译:硅太阳能电池的无掺杂和载流子选择性异质接触:最新进展和展望
机译:通过PEDOT控制表面载体密度:PSS栅极:应用于硅介质界面重组的研究