Institute of Microelectronics, Department of Electrical Engineering, National Cheng Kung University, Tainan, Taiwan;
机译:微波等离子体在氢稀释甲烷中偏置增强成核和偏置生长合成的超纳米晶金刚石纳米柱
机译:微波等离子体在氢稀释甲烷中偏置增强成核和偏置生长合成的超纳米晶金刚石纳米柱
机译:SiC(0001)上石墨烯生长面临的挑战:衬底效应,氢蚀刻和生长环境
机译:石墨烯的受控成核和生长:氢稀释甲烷中的竞争生长和蚀刻
机译:离子蚀刻和表面活性剂介导的生长的成核和生长机理。
机译:通过竞争性刻蚀和生长来结晶气体选择性纳米多孔石墨烯:建模研究
机译:在氩气稀释甲烷中抑制低功率和低温微波等离子体自偏压增强金刚石薄膜二次成核的机制