A 1.4µm front-side illuminated image sensor with novel light guiding structure consisting of stacked lightpipes

机译：1.4µm正面照明图像传感器，具有新颖的导光结构，由堆叠的光导管组成

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A frontside illuminated image (FSI) sensor with novel light guiding structures consisting of stacked lightpipes was developed using 45nm Cu processing on 300 mm wafers. We demonstrated a high quantum efficiency (QE) of 75% and maximum incident angle of 40°, which exceeds the performance of backside illuminated image (BSI) sensors [1,2,3]

机译：在300 mm晶圆上使用45nm Cu工艺开发了具有新型光导结构的正面照明图像（FSI）传感器，该结构由堆叠的光管组成。我们证明了75％的高量子效率（QE）和40°的最大入射角，超过了背面照明图像（BSI）传感器的性能[1,2,3]

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来源
《2011 IEEE International Electron Devices Meeting》|2011年|p.8.3.1-8.3.4|共4页
会议地点 Washington DC(US)
作者
Watanabe Hisashi; Hirai Jun; Katsuno Motonari; Tachikawa Keishi; Tsuji Sho; Kataoka Masao; Kawagishi Saori; Kubo Hiroko; Yano Hisashi; Suzuki Shigeru; Okazaki Gen; Yamamoto Kouichi; Fujinaka Hiroshi; Fujioka Takashi; Suzuki Masakatsu;
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作者单位

Image Sensor Business Unit, Semiconductor Company, Panasonic Corporation, 1 Kotari-yakemachi, Nagaokakyo City, Kyoto 617-8520, Japan;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类自动化装置与设备;
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