Institute of Bio- and Nanosystems, Jülich-Aachen Research Alliance for Fundamentals of Future Information Technology (JARA-FIT), Forschungszentrum Jülich, Germany;
FET; noise; silicon nanowire; trap density;
机译:金属-氧化物-半导体界面上的电子俘获-去俘获的金属氧化物半导体场效应晶体管的低频噪声建模
机译:包含界面陷阱的硅纳米线无结场效应晶体管的基于表面电势的模型
机译:双间隔物对栅全硅纳米线P型金属氧化物半导体场效应晶体管的电气特性对电特性和随机电报噪声的影响
机译:硅纳米线场效应晶体管中陷阱的噪声光谱
机译:Si纳米线和基于二维MoS2的场效应晶体管中的电子传输和低频噪声表征。
机译:全面了解硅纳米线场效应晶体管用于生物分子感测的阻碍读数
机译:肖特基结门控硅纳米线效应晶体管低频噪声的顶级栅极耦合效应