Instituto de Telecomunicações - Universidade de Aveiro, Campus Universitário de Santiago, 3810-193, Portugal;
Gallium Nitride; Oscillator; Resonator;
机译:通过针对毫米波应用的GaN缓冲器的P型掺杂,改善了AlGaN / GaN Hemt中的RF和DC性能
机译:无线网络应用中低功耗,高速环形振荡器的性能评估和2.5 GHz环形振荡器的设计
机译:通过表面处理在GaN发光二极管应用中在反应离子刻蚀的n型GaN上形成非合金Ti / Al / Ni / Au低阻欧姆接触
机译:GaN RF振荡器用于太空应用
机译:GaN-SiC界面处具有GaN微坑的AlGaN / GaN HEMT中的散热分析
机译:65 nm rad-Hard环和LC罐控制振荡器进行SPACEFIBRE应用的分析与比较
机译:al-spacer在层结构中对高阻抗性能GaN基HEmT在K波段低电阻率硅上的影响