Cardiff School of Engineering, University of Cardiff, The Parade, CF24 3AA, Wales, UK;
Envelope domain; GaN; IF active load-pull; hysteresis; inter-modulation; memory Effects;
机译:电基带存储效应对高功率LDMOS功率放大器的高阶IF分量的敏感性
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机译:γ辐照对功率vdmos晶体管电学特性的影响
机译:基带电气存储器效应对微波功率晶体管动态传递特性的影响
机译:减轻大功率微波放大器中的记忆效应。
机译:环境对背栅WSe2场效应晶体管电特性的影响
机译:基带电存储效应对微波功率晶体管动态传输特性的影响
机译:用于微波功率应用的宽带转移衬底alGaN-GaN异质结双极晶体管