Institute of Microelectronics, 11 Science Park Road, Singapore Science Park II, Singapore 117685;
机译:电场分布对雪崩光电探测器增益带宽乘积的影响分析
机译:增益带宽积超过100 GHz的平面InP / InGaAs雪崩光电探测器
机译:具有n倍增层的平面InP-InGaAs雪崩光电探测器显示出非常高的增益带宽积
机译:集成了105GHz增益带宽积的波导集成Ge / Si雪崩光电探测器
机译:高速光电探测器的设计,分析和宏观建模,强调了联合打开效应雪崩光电二极管和横向p-i-n光电二极管。
机译:照相机二极管的增益带宽产品
机译:高带宽和高响应性波导集成的等离子体光电探测器
机译:用于400 GHz增益带宽积的In Gaas / si雪崩光电探测器的设计