photodetectors - avalanche photodiodes - optoelectronic devices - wafer fusion;
机译:增益带宽积超过100 GHz的平面InP / InGaAs雪崩光电探测器
机译:具有n倍增层的平面InP-InGaAs雪崩光电探测器显示出非常高的增益带宽积
机译:增益腔积为290 GHz的谐振腔InGaAs-InAlAs雪崩光电二极管
机译:用于400 GHz增益带宽产品的InGaAs / Si雪崩光电探测器的设计
机译:400 GHz磷化铟/砷化铟镓异质结双极晶体管的设计注意事项。
机译:照相机二极管的增益带宽产品
机译:具有高增益带宽积的InGaas / alGaassb雪崩光电二极管
机译:Gaas mmIC混频器,用于8-12GHz,基于0.5微米栅极长度的D-mEsFETs。第1卷。设计和布局(Gaas mmIC混频器,8-12GHz,Gerealiseered met 0,5微米栅极冷却D-mEsFET.selel 1. Ontwerp en Layout)。