Texas AM University, College Station, TX, 77843-3122 University of Tennessee, Knoxville, TN, 37996;
rnTexas AM University, College Station, TX, 77843-3122;
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rnUniversity of Tennessee, Knoxville, TN, 37996;
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机译:具有AlOx嵌入式Zr掺杂HfO2高k栅极电介质堆栈的非易失性存储器件
机译:双层纳米晶体ZnO嵌入Zr掺杂的HfO2高k介电材料的非易失性存储器
机译:温度对纳米晶硒化嵌入Zr掺杂HfO2高k介电薄膜的介电击穿和电荷保留的影响
机译:纳米晶体嵌入式Zr-掺杂HFO2高k薄膜的放松行为和崩溃机制,用于非易失性存储器
机译:高k HfO2栅介质的射频溅射ZnO薄膜晶体管制造条件的优化。
机译:具有HfO2 / Al2O3纳米结构隧穿层的氧化Ga纳米晶体非易失性存储器
机译:具有HfO2 / Al2O3纳米结构隧穿层的氧化Ga纳米晶体非易失性存储器
机译:用于开发非易失性,超高密度,快速,低电压,辐射 - 硬核存储器的原子光滑外延铁电薄膜