Dept. of Electronic Materials Eng., Kwangwoon University, 447-1 Wolgye-Dong Nowon-Ku, Seoul 139-701, KOREA;
机译:脉冲激光沉积Ge_(20)As_(20)Se_(60)和Ge_(10)As_(30)Se_(60)非晶薄膜的光敏性
机译:Ag /硫族化物As_2S_3和As_(40)Ge_(10)Se_(15)S_(35)薄膜结构上施加电场的电阻变化特性研究
机译:0.532μm波长照射下非晶As_(40)S_(15)Se_45和As_2S_3膜中的表面起伏光栅形成
机译:全息光栅记录在MGF_(2)/ AG / AS_(40)GE_(10)SE_(15)S_(35)的多层胶片中
机译:偶氮聚合物薄膜中的全息衍射光栅的激光刻印。
机译:具有高性能和超薄厚度的低温可加工非晶InGaZnO薄膜晶体管的周期性脉冲湿退火方法
机译:全息数据光栅形成AS40Ge10Se10S35Single层,AG / AS40Ge10Se15S35Double层和AS40Ge10Se15S35 / AS40 / GE10SE15S35Multi层薄膜与DPSS激光器
机译:用于太阳能电池应用的非晶薄膜。技术进步报告,1980年7月15日至1980年10月10日