Microelectronics Center, School of Electrical Electronic Engineering, Nanyang Technological University, Nanyang Avenue, Singapore 639798;
thin film; amorphous; hydrogen gas sensor; sol-gel; sputtering;
机译:新型(Ba,Sr)TiO_3和Pb(Zr,Ti)O_3薄膜的H_2气体传感器及其机理研究
机译:Ba_(0.5)Sr_(0.5)TiO_3和PbZr_(0.48)Ti_(0.52)O_3的溶胶-凝胶法制备及光化学金属有机沉积纳米复合薄膜
机译:Pb(Zr,Ti)O_3和(Ba,Sr)TiO_3铁电薄膜中的慢介电弛豫
机译:一种新的H_2气体传感器,使用无定形(BA,SR)TiO_3和PB(Zr,Ti)O_3薄膜及其机制研究
机译:镧锶锰(LA0.67SR0.33MNO3)和锆钛酸铅(PBZR0.52TI0.48O3)薄膜异质结构中的自极化感应磁电耦合
机译:在高度c轴取向的Pb(Zr0.52Ti0.48)O3薄膜中具有超低应变滞后的大压电应变并且在非晶玻璃基板上呈柱状生长
机译:用于基于全氧化物$ LaNiO_3 / pb(Zr,Ti)O_3 / LaNiO_3薄膜的压电mEms器件的大面积脉冲激光沉积和组装工艺
机译:a-sITE-aND /或B-sITE-mODIFIED pBZRTIO3材料和(pB,sR,Ca,Ba,mG)(ZR,TI,NB,Ta)O3薄膜,具有铁电随机存取存储器和高性能薄膜微处理器的实用性