College of Engineering and Department of Physics, Virginia Commonwealth University P.O. Box 843072, Richmond, VA 23284-3072, USA;
机译:氮化物半导体异质结构中的极化效应
机译:氮化物半导体和器件结构中的极化效应
机译:自发和压电极化诱导效应在基于III族氮化物的异质结构和器件中的作用
机译:在(hk。?)取向的衬底上生长的Wurtzitic半导体异质结构:自发极化和压电极化场,弹性能和量子受限斯塔克效应的修正之间的相互作用
机译:氮化铝镓/氮化镓金属氧化物半导体异质结构场效应晶体管的器件设计和制造。
机译:III型氮化物半导体中II型能带对准的证据:In0.17Al0.83N / GaN异质结构的实验和理论研究
机译:通过金属-绝缘体-半导体-异质结构电容器的C(V)表征研究氮化硅钝化和AlGaN / AlN / GaN异质结构之间的界面
机译:利用氮化铟镓(InGaN)/氮化镓(GaN)异质结构的负极化特性实现具有深紫外(<250nm)发射的频率倍增蓝绿激光(2年级)。