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【24h】

High-power 0,82 μm Superluminescent Diodes With Extremely Low Fabry-Perot Modulation Depth

机译：具有极低法布里-珀罗调制深度的高功率0.82μm超发光二极管

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来源
《1989 IEEE international symposium on circuits and systems 》|1989年|p.78-81|共4页
会议地点 Portland OR(US);Portland OR(US)
作者
Safin S.A.; Semenov A.T.; Shidlovski V.R.; Zhuchkov N.A.; Kurnyavko Yu.V.;
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作者单位

J.E. INTERFACE, Moscow;

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会议组织
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类微电子学、集成电路（IC） ; 设计与性能分析 ;
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1. High-power 0.82 mu m superluminescent diodes with extremely low Fabry-Perot modulation depth [J] . Safin S.A., Semenov A.T. Electronics Letters . 1992 ,第2期

机译：大功率0.82μm超发光二极管，具有极低的Fabry-Perot调制深度
2. High-power broad-band superluminescent diode with low spectral modulation at 1.5-/spl mu/m wavelength [J] . Song J.H., Cho S.H. IEEE Photonics Technology Letters . 2000 ,第7期

机译：高功率宽带超发光二极管，在1.5- / spl mu / m波长下具有低光谱调制
3. (GaAl)As SQW superluminescent diodes with extremely low coherence length [J] . Semenov A.T., Batovrin V.K. Electronics Letters . 1995 ,第4期

机译：（GaAl）As SQW超发光二极管，具有极低的相干长度
4. High-power 0,82 /spl mu/m Superluminescent Diodes With Extremely Low Fabry-Perot Modulation Depth [C] . Safin, S.A., Semenov, . 1992

机译：具有极低法布里-珀罗调制深度的大功率0,82 / spl mu / m超发光二极管
5. Design and characterisation of high-power superluminescent diodes [D] . Burrow, Liam. 2005

机译：高功率超高发光二极管的设计与特征
6. Low-frequency wide-field fluorescence lifetime imaging using a high-power near-infrared light-emitting diode light source [O] . Sylvain Gioux, Stephen J. Lomnes, Hak Soo Choi, 2010

机译：使用大功率近红外发光二极管光源的低频宽视场荧光寿命成像
7. GaAs-based superluminescent diodes with window-like facet structure for low spectral modulation at high output powers [O] . Groom K.M. 2016

机译：基于Gaas的超发光二极管，具有窗口状结构，可在高输出功率下进行低光谱调制

High-power 0,82 μm Superluminescent Diodes With Extremely Low Fabry-Perot Modulation Depth

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