MOS器件静电放电潜在性失效概述

摘要

各类微电子器件在向着微型化与集成化方向发展的同时，随之而来的便是其抗静电放电能力的下降。然而，静电放电不仅能够在微电子器件内部造成明显失效，而且能够在其内部造成潜在性失效。潜在性失效，是目前最具争议的一种失效模式，也最具威胁性。国内外研究人员在此方面积极开展了多项研究并取得了较大的进展，他们的研究结果表明：在MOS器件中确实存在静电放电潜在性失效问题。同时，在他们的研究中对MOS器件静电放电潜在性失效的损伤机理、检测方法等进行了相应研究。