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【2h】

Electrical overstress and electrostatic discharge failure in silicon MOS devices

机译：硅MOS器件中的电气过应力和静电放电故障

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A Doctoral Thesis. Submitted in partial fulfillment of the requirements for the award of Doctor of Philosophy of Loughborough University.

机译：博士论文。提交，部分满足了拉夫堡大学哲学博士学位的授予条件。

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作者
Tunnicliffe Martin J.;
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作者单位

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年度 1993
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1. Generalized model of electrostatic discharge (ESD) for bodies in approach: analyses of multiple discharges and speed of approach (Reprinted from Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium Proceedings, 2000) [J] . Greason WD. Journal of Electrostatics . 2002,第1期

机译：进场物体的静电放电（ESD）的通用模型：多次放电和进场速度的分析（转载于《电气过应力/静电放电研讨会论文集》，2000年）
2. Silicon-on-insulator dynamic threshold ESD networks and active clamp circuitry (Reprinted from Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium proceedings, 2000) [J] . Voldman S., Hui D., Young D., Journal of Electrostatics . 2002,第1期

机译：绝缘体上硅动态阈值ESD网络和有源钳位电路（转载自《电气过应力/静电放电研讨会论文集》，2000年）
3. The Effect of Electrostatic Discharge on Electrical Overstress Susceptibility in a Gallium Arsenide MESFET-Based Device [J] . Eveloy V., Hwang Y.-C., Pecht M. G. IEEE transactions on device and materials reliability . 2007,第1期

机译：静电放电对基于砷化镓MESFET的器件中电超应力敏感性的影响
4. Electrostatic Discharge/Electrical Overstress Susceptibility in MEMS: A New Failure Mode [C] . Jeremy A.Walraven, Jerry M.Soden, Danelle M.Tanner, Conference on MEMS Reliability for Critical Applications 20 September 2000 Santa Clara, USA . 2000

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机译：mEms中的静电放电/电过载敏感性：一种新的故障模式

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