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1700V Planar NPT IGBT的设计

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本文设计一款1700 V Planar NPT IGBT,首先进行理论分析,从理论上分析IGBT工艺参数与主要器件性能的关系.然后进行工艺设计,并利用TSUPREM4和MEDICI仿真软件,重点研究了各工艺参数对器件击穿电压、通态压降以及阈值电压的影响.通过工艺参数优化设计和计算机模拟得到满足设计要求的IGBT:击穿电压BV约 2000V,通态压降Vce(on)约为2.5 V,阈值电压Vth约为5V.

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来源
《2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会》|2011年|115-119|共5页
会议地点昆明
作者
张超; 李泽宏; 张金平; 任敏; 张波;
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作者单位

中国半导体行业协会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN322.8:TN302;
关键词
绝缘栅双极型晶体管; 工艺参数; 优化设计; 计算机模拟;

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