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SiGe RPCVD流体动力学模拟

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基于商用RPCVD设备结构参数，建立了RPCVD反应室结构模型;基于反应室模型，计算了雷诺数Re，确定了RPCVD的流体模型;采用FLUENT软件，模拟了RPCVD反应室的温度场、密度场、速度场，并确定了工艺优化参数.

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来源
《第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议》|2011年|104-107|共4页
会议地点三亚
作者
戴显英; 竹毅初; 邵晨峰; 吉瑶; 郭静静; 宁静; 郝跃; 张鹤鸣; 王晓晨; 李志; 王琳; 查冬;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.055;
关键词
锗硅异质结材料; 减压化学汽相淀积; 计算流体动力学; 模拟仿真; 工艺优化;

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