一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法

摘要

提出了一种提高高压P型LDMOS隔离能力的方法。通过一步深N型阱和一步浅N型阱来替代传统的单深N型阱工艺和结构，在确保高压PLDMOS器件在垂直方向上的PNP穿通问题与传统结构工艺相当的同时，大幅提高同尺寸隔离环的隔离能力。