霍尔推力器鞘层电子与壁面碰撞频率及近壁传导电流研究

摘要

本文针对霍尔推力器内等离子体与壁面材料相互作用形成的非中性鞘层区域建立二维物理模型,对鞘层内电子与壁面碰撞频率及近壁传导电流进行数值模拟研究.研究结果表明:电子与壁面碰撞频率随鞘层内电子数密度及电子温度的增加而升高,壁面材料的二次电子发射系数越高,电子与壁面碰撞频率越高,而磁场强度和离子入射速度对电子与壁面碰撞频率几乎无影响;随着鞘层内电子数密度的增加,近壁传导电流增加,但近壁传导电流峰值的径向位置没有改变.电子温度越高,近壁传导电流越大,同时,近壁传导电流峰值的径向位置发生改变.壁面材料二次电子发射系数越高,近壁传导电流越大,但磁场强度的改变对近壁传导电流没有影响.