弱光胁迫条件下玉米转录组及数字基因表达谱分析

摘要

弱光胁迫是黄淮海夏玉米区的主要致灾因子之一.本试验选用弱光耐受型玉米自交系中72和弱光敏感型自交系502,在苗期设置了弱光处理和正常光照处理,研究了两个自交系在不同光照条件下的转录组差异.结果发现,弱光胁迫分别导致中72和502的1,268个和3,385个基因表达水平发生显著改变.其中,在中72中571个基因表达上调,697个基因表达上调;在502中有1,539个基因表达上调,1,657个基因表达下调.代谢途径显著性富集分析结果还发现,弱光处理后弱光耐受型的自交系中72的光合作用代谢途径在转录水平上未受到显著影响,而弱光敏感型的自交系502则受到了显著影响;卟啉和叶绿素代谢途径在弱光耐受型的自交系中72中显著上调,而弱光敏感型自交系502的变化不大.