中长波InAs/GaSb超晶格材料及探测器研究

摘要

针对超晶格材料在中长波段的材料结构特点并结合理论模拟结论，采用生长中断方法和迁移率增强(MEE)方法进行中长波段超晶格材料分子束外延的生长参数优化研究。超晶格材料经过湿法腐蚀微加工工艺和表面钝化工艺后，分别制备了中波段和长波段单元红外探测器。文章还对中波段和长波段单元红外探测器的性能进行了分析。