CdS/Si纳米异质结构阵列的光电特性研究

摘要

以硅纳米孔柱阵列(Si-NPA)为衬底、用化学水浴沉积法(CBD)制备了具有规则阵列结构特性的CdS/Si-NPA纳米复合体系。结果表明,组成CdS/Si表面阵列的每个柱子均呈现核壳结构。CdS/Si-NPA纳米复合体系在300-800nm波长范围内反射率均小于6％。退火后光致发光谱(PL)均由退火前的双峰变为单一蓝峰。电致发光谱(EL)随电压的升高,峰位蓝移,且峰值增加。