InAs/GaSb超晶格界面的光学各向异性研究

摘要

在室温下采用偏振反射差分光谱测量了InAs/GaSb超晶格平面内光学各向异性,在GaAs界面厚度保持不变的情况下研究了不同厚度InSb界面对超晶格平面内光学各向异性的影响。并利用高分辨XRD测量了不同的InSb界面厚度对超晶格晶格失配的影响。分别在InAs和GaSb的ΓΛ(E0,E0+△0)和Λ(E1,E1+△1)临界点观察到了平面内光学各向异性信号。InSb界面的厚度的增加减小了超晶格的应变,临界点能量发生移动。InAs和GaSb上下界面的不对称性可以解释平面内光学各向异性的来源,分析了应变对各向异性的影响。