红外热成像技术在薄膜硅组件制造中的应用

摘要

红外热成像技术具有方便、快捷和无损伤的检测特点,其在薄膜硅组件制造中有着重要的应用意义.薄膜硅组件的膜层沉积质量和激光划线质量的检测、以及薄膜硅组件经加速环境老化测试后的检测在薄膜硅组件的质量控制过程中非常重要.本文借助红外热成像技术,重点研究了其在薄膜硅组件制造过程中及在可靠性检测中的应用.红外热成像技术能够快速检测出薄膜沉积过程中的电池分流通路(Shunt)点和激光划线的缺陷,对经过1000 小时湿热老化组件进行热成像测试,可以清晰的发现其边缘电极引线处和内部某些区域的电阻较高,表明在湿热测试环境中,边缘电极引线和组件导电膜的粘接受到破坏,同时组件内部的某些区域的硅膜发电层亦受到损伤,从而导致薄膜硅组件串联电阻的升高和并联电阻的降低,造成薄膜硅组件输出功率下降,这对优化薄膜组件的制造工艺,优化开发新的薄膜硅组件封装技术,提高薄膜硅组件的可靠性具有指导作用.