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薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件

摘要

本发明公开了一种薄膜硅光伏器件及其制造方法和背电极以及光伏组件。所述薄膜硅光伏器件具有层状结构,该层状结构依次包括:基板;透明导电的前电极;一个或多个p-i-n型光伏单元,每个p-i-n型光伏单元由基于氢化硅的p型、本征i型和n型半导体薄膜组成;背电极,该背电极包含依次重叠的银膜、镍膜和铝膜,所述银膜位于所述背电极的、与所述p-i-n型光伏单元相邻的一侧,并且所述镍膜由镍或镍含量高于60%的镍合金制成。根据本发明的由银、镍、铝制成的全金属型背电极具有反射率高、导电性好、不易短路、稳定性强、且便于以低成本生产大面积光伏模板等优点。

著录项

  • 公开/公告号CN101556977B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2012-04-18

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN200810091632.8

  • 发明设计人 李沅民;杨与胜;

    申请日2008-04-11

  • 分类号

  • 代理机构北京市柳沈律师事务所;

  • 代理人黄小临

  • 地址 362000 福建省泉州市鲤城区南环路江南高新科技园区

  • 入库时间 2022-08-23 09:09:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2012-04-18

    授权

    授权

  • 2011-09-07

    专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 31/075 变更前: 变更后:

    专利申请权、专利权的转移

  • 2010-05-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 31/075 申请日:20080411

    实质审查的生效

  • 2009-10-14

    公开

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