一种半导体区域γ辐射监测装置

摘要

以硅PIN半导体器件为辐射探测器,研制了一种基于总线结构的区域γ辐射监测装置.该监测装置主要由探测器单元、现场处理和显示单元、设备配置部分构成.用来测量γ周围剂量当量率时,监测装置的基本误差＜15％,对65keV～661.6keV范围内γ射线的响应在137Cs响应的20％以内,对入射方向-90°～90°范围内的响应在0°响应的10％以内.监测装置取得了依据GJB151A、GJB152A所做的9项电磁兼容检验报告、依据GB4208所做的IP65外壳防护等级的测试报告及依据JJG393做的能响、角响应和校准因子的测试证书.