中子深度分析能量展宽的蒙特卡罗模拟

摘要

离子在样品内的能量岐离将改变中子深度分析的多道离子能谱分布。本文基于SRIM程序，分析了10B（n，α）7Li反应产生的四种离子穿过硅材料后的能量离散情况，获得了四种离子的能谱分布拟合函数，为中子深度分析技术提供了能量GAUSS展宽的数学模型。同时从理论上演示了离子的能量岐离对测量谱的影响。