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高掺镁铌酸锂晶体OH-吸收光谱的低温研究

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在本文中,我们测量了纯铌酸锂和高掺镁铌酸锂晶体的低温红外光谱,观察了OH-吸收峰的温度依赖特性.研究发现纯铌酸锂的OH-振动吸收峰基本不随温度而变化,而高掺镁铌酸锂晶体的OH-振动吸收峰随温度的降低发生了明显的右移.通过分析两种晶体中不同的缺陷模型以及H+在晶格中的占位,我们提出高掺镁铌酸锂晶体中的H+紧邻高电性杂质缺陷(MgNb)3-分布,直接参与缺陷集团,完全不同于纯铌酸锂晶体中H+的分布情形,这造成了掺镁铌酸锂晶体中OH-振动吸收峰随温度的变化.而集团内部缺陷之间相互作用随温度降低而增强的趋势是OH-振动吸收峰右移的主要原因.

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来源
《中国工程院化工、冶金与材料工学部第七届学术会议》|2009年|1696-1699|共4页
会议地点天津
作者
YAN Wenbo; 阎文博; CHEN Guifeng; 陈贵锋; CHEN Hongjian; 陈洪建; LI Yangxian; 李养贤;
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作者单位

中国工程院;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TQ131.11;
关键词
高掺镁铌酸锂晶体; 低温红外光谱; 温度依赖特性; 缺陷模型;

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