高掺镁LiNbO<,3>晶体抗光折变性能研究

摘要

在LiNbO<,3>中掺进MgO以提拉法生长Mg(1mol﹪):LN,Mg(3mol﹪):LN,Mg(5mol﹪):LN,Mg(7mol﹪):LN,和Mg(9mol﹪):LN晶体.改进晶体生长工艺条件,解决了在生长中出现的脱溶,散射颗粒,生长条纹等缺陷.生长出高质量高掺镁LiNbO<,3>晶体.测试Mg:LiNbO<,3>晶体的红外光谱,当Mg<'2+>的浓度达到或超过阈值浓度的Mg:LiNbO<,3>晶体,OH-吸收峰移到3535cm<'-1>,晶体抗光损伤能力比LiNbO<,3>晶体提高两个数量级以上.测试Mg:LiNbO<,3>晶体的倍频性能(相位匹配温度,倍频转换效率)Mg:LiNbO<,3>晶体的相位匹配温度随Mg<'2+>浓度的增加而改变,Mg(5mol﹪):LN,晶体的相位匹配温度达到116°C,Mg(9mol﹪):LN晶体在室温附近.