真空制程对混晶性能影响的研究

摘要

本文介绍了混晶在不同真空条件下组分及其性能的变化情况.本文的主要工作是选取了TN、TFT两款不同体系的混晶产品,分别进行了不同真空压强、真空时间的挥发实验;通过气相对比测试,研究了真空前后的组分含量变化情况;对此混晶阈值、光学各向异性、清亮点等参数进行测试;并且分析了真空条件与易挥发组分的关系,为实际生产中混晶灌注、真空脱气等工艺提供了一定的参考和依据,具有较为重要的现实意义.