金属氧化物IGZO-TFT Dry Etch工艺研究

摘要

在TFT-LCD制造工艺中,主要有刻蚀工艺有湿刻蚀法及干刻蚀法,针对绝缘层开孔,一般采用干法刻蚀(Dry Etch)方式刻蚀出绝缘层的的过孔,主要的指标有线宽及taper angle.本文所研究的主要为干刻蚀ICP模式,气体刻蚀的膜层为SiO2/SiNx,所用气体为CF4/O2.干法蚀刻过程中功率(Power)、压力(Pressure)、等工艺参数对绝缘层Taper Angle造成不同程度影响.实验结果表明,蚀刻工程中功率(Source/Bias Power)对接触角影响很大;pressure对接触角影响较小.