石墨烯折角可控场发射的研究

摘要

本文采用光刻,电感耦合等离子体刻蚀及湿法刻蚀等微加工工艺得到硅棱结构,硅棱顶部通过氧化削尖,并最终制作一层氧化绝缘层。然后转移上石墨烯并制作左右电极。类比真空三极管,左右电极分别称为阴极(cathode)和栅极(gate)。

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