基于脉冲激光的SRAM翻转截面的试验研究

摘要

利用脉冲激光模拟单粒子效应试验装置研究不同特征尺寸(0.25μm和0.13μm)SRAM器件的单粒子效应。试验通过不同的脉冲激光注量获得SRAM的翻转阈值和翻转截面，研究不同注量对器件单粒子翻转的影响。通过对不同特征尺寸SRAM的单粒子翻转对比研究，发现随着特征尺寸的减小，器件发生单粒子翻转的阈值降低，单粒子效应现象更加玎严重。SRAM在单粒子效应方面的敏感性对其在空间中的应用提出了挑战。