高速InP/InGaAs雪崩光电二极管

摘要

采用分层吸收渐变电荷倍增(SAGCM)结构,通过两次扩散、多层介质淀积、AuZnp型欧姆接触、AuGeNin型欧姆接触等工艺,设计制造了正面入射平面InP/InGaAs雪崩光电二极管,器件利用InGaAs做吸收层,InP做增益层,光敏面直径50μm;测试结果表明器件有正常的光响应特性,击穿电压32～42V,在低于击穿电压2V左右可以得到大约10A/W的光响应度,在0到小于击穿电压1V的偏压范围内,暗电流只有1nA左右;器件在2.7GHz以下有平坦的增益。