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多晶硅太阳电池PECVD沉积氮化硅薄膜研究

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用PECVD法通过改变[NH3]/[SiH4:N2]流量比沉积了SiN薄膜.用椭圆偏振仪、准稳态光电导衰减法(QSSPCD)、红外吸收光谱(IR)及反射谱对氮化硅薄膜特性进行了研究,并获得了沉积氮化硅后硅片高寿命,高折射率、氢含量高钝化效果好、反射率低的工艺条件.

著录项

来源
《第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会》|2005年|283-286|共4页
会议地点北京
作者
勾宪芳; 北京市太阳能研究所; 马丽芬; 北京市太阳能研究所; 许颖; 励旭东; 王文静; 任丙彦;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TM914.41;TN304.055;
关键词
多晶硅太阳电池; 等离子体化学气相沉积; 氮化硅薄膜;

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