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单晶铋纳米线阵列的可控生长

摘要

采用脉冲电化学沉积技术,利用同一直径的氧化铝模板,通过调节脉冲参数制备出了不同直径的单晶铋纳米线阵列,同时实现了纳米线取向的可控生长.保持脉冲弛豫时间不变,纳米线的直径随着脉冲沉积时间的增加而增大,纳米线的取向随着脉冲占空比的变化发生移动.

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