磁控溅射制备的Si/SiO<,2>超晶格及其光电性能

摘要

本文采用直流磁控溅射方法在(111)取向的Si基片和玻璃基片上生长Si/SiO<,2>超晶格薄膜,一个超晶格的周期为4～6nm左右,同时还分析了周期数、基片等因素对Si/SiO<,2>超晶格在400～700nm范围内的透射率、吸收系数、电致发光、伏安特性等性能的影响,并对Si/SiO<,2>超晶格进行了X射线衍射结构分析.