采用刻槽结构抑制横磁模下的二次电子倍增

摘要

针对横磁模式(TM)下介质表面的二次电子倍增问题,提出采用周期性刻槽结构结合外加磁场的方法来抑制电子倍增.通过理论分析和数值模拟,对比研究了二次电子的渡越时间、碰撞能量以及产额等结果,证明了采用刻槽结构并施加一定的纵向磁场强度,可以有效抑制二次电子倍增的发展,提高介质面的击穿阈值.同时该方法在较高场强条件下,对二次电子倍增的抑制也具有较好的效果.