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张世全; 李广林; 王翔;
武警工程学院物理室,陕西,西安,710086;
武警工程学院通信工程系,陕西,西安,710086;
咸阳师范学院,物理系,陕西,咸阳,712000;
微波器件; 电子培增放电; 风险;
机译:微波二次电子倍增器
机译:电容模型对电容性射频氩辉光放电中二次电子发射影响的放电特性的数值研究
机译:低压电容性射频氩气放电中二次电子发射对放电特性影响的数值研究
机译:1.3GHz大功率耦合器冷窗的二次电子倍增特性研究
机译:微波场中的二次电子倍增。
机译:新型光电倍增管中传输倍增极的二次电子发射材料的综述
机译:辉光放电作为分析工具。二次电子发射速率对其特性的影响
机译:导电表面的二次电子发射特性及其在微波放大器多级抑制收集器中的应用
机译:二次电子倍增器,其放电空间顺序相互限制,挡板上装有金属电极
机译:通过在器件表面施加钇铁石榴石涂层来抑制二次电子发射的微波器件的制造
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