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王炜; 陆晓敏;
中国半导体行业协会;
中国电子科技集团公司第十三研究所;
集成电路; 驱动芯片; 结构设计; 高压工艺;
机译:0.35μm SiGe BiCMOS 10 Gb/s激光驱动芯片设计
机译:低压BiCMOS工艺中的耐高压片上ESD保护
机译:在70 GHz FT SiGe BiCMOS工艺上用于28.5 GHz应用的RF接收器前端
机译:用于系统上(SOC)设计的0.13μm的BICMOS工艺技术中的高压(最多20V)器件实现
机译:亚微米BiCMOS工艺中的高压器件设计
机译:高压地球科学专题:量热仪在芯片上对高压材料的应用
机译:在70 GHz FT SiGe BiCMOS工艺上用于28.5 GHz应用的RF接收机前端
机译:DIII-D快波电流驱动(FWCD)系统上RF传输线组件的RF高压性能
机译:在低压BiCMOS工艺中实现高压IO驱动器的技术
机译:在低压BICMOS工艺中实现高压IO驱动器的技术
机译:低压BiCMOS和高压BiCMOS在同一基板上
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