用于Ka波段输能窗的AlN窗片及封接技术研究

摘要

本文研制了高导热低损耗的AlN陶瓷,制备的AlN陶瓷介电常数8.4,损耗角正切5×l0-4,常温热导率为186W/(m·K);同时研制出了热导率为192W/(m·K)的氮化铝陶瓷.完成了AlN的陶瓷-金属封接工艺,封接件抗拉强度大于78MPa,制备了AlN陶瓷输能窗,钎焊后的AlN陶瓷一金属封接件及输能窗检漏结果均气密,氦漏率小于1×10-11Pa·m3/s.本文研制的AlN陶瓷及封接工艺不但满足输能窗用介质材料的性能要求.还可以应用于微波管收集极及夹持杆等方面.