多层ZnO-HfOx薄膜结构的发光特性研究

摘要

在p型硅衬底上制备的基于HfOx薄膜的MOS结构器件,加电后会在介质层形成导电通路,可热致激发出连续光谱的可见光.为研究ZnO-HfOx层对器件发光特性的影响,在p型硅衬底上制备了1层、2层,及3层结构的ZnO-HfOx薄膜发光器件,并对制备好的器件的发光现象、I-V特性、发光光谱、测温、色坐标等进行了测试.结果表明,在HfOx层薄膜总厚度不变的情况下,发光强度随着ZnO-HfOx层数的增加而增加,但发光光谱及峰值波长保持不变.多层ZnO-HfOx会使ZnO晶粒在HfOx中充分扩散,有利于发光通道的形成,使发光强度增强.