基于国产THGEM的粒子分布探测器性能测试

摘要

为精确测量0.1～50MeV低能脉冲电子束流的位置分布,制作了基于国产THGEM的二维粒子分布探测器.探测器使用60mm*60mm Kapton基材高位置分辨国产THGEM以达到50mm*50mm探测灵敏面积,厚GEM的孔径150um,孔间距400um,本征位置分辨可达116um.为减少低能电子散射,采用Mylar薄膜作为透射窗和窄气隙设计.电子学系统采用国内自研的ASIC芯片,并首次应用于工程项目.读出板为200路对称二维条读出设计,条周期为0.56mm,通过电荷重心法获得高位置分辨.放射源和束流测试结果表明,探测器性能良好,初步位置分辨达到83微米.