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基于MEMS工艺的太赫兹波定向耦合器研究

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本文提出了一种基于体硅MEMS工艺制作的E面分支线型波导定向耦合器.它采用平行波导宽边开孔,七分支线电桥的形式,采用体硅MEMS工艺设计,以保证加工精度.HFSS仿真实现了320GHz到350GHz较宽频带内,回波损耗在-20dB以下,耦合度约为-3dB,同时实现优于-27dB的高隔离度,并由此制作了32GHz到35GHz放大10倍的放大样实物进行测试验证.

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来源
《2017 年全国天线年会》||688-690|共3页
会议地点西安
作者
YANG shengjie; 杨胜捷; LIU yong; 刘埇;
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作者单位

中国电子学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类
关键词
定向耦合器; 太赫兹波; 微机电系统; 工艺设计;

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