p型AlGaN的高效掺杂及其紫外光电探测器件应用

摘要

高效p型掺杂是高性能AlGaN基紫外与深紫外光电子器件发展的基础条件之一.对于宽禁带化合物半导体Ⅲ族氮化物,实现高效p型掺杂主要受阻于:低Mg受主杂质固溶度、强施主自补偿效应和高受主激活能.在本文的工作中，首先基于MOCVD法对Mg掺杂P型GaN与高Al组分P型AlGaN进行了制备与改善，其次对掺杂效率改善机制进行了研究与解释，最后将发展的AlGaN高效P型掺杂方法应用于AlGaN日盲紫外探测器研制，获得了高量子效率、高增益、低暗电流的特性。