氮极性GaN薄膜的可控生长及其发光器件的制备

摘要

本工作中,采用MOCVD技术在蓝宝石衬底和碳化硅衬底上制备了氮极性GaN薄膜及其发光器件.通过生长工艺和参数的优化,获得了高质量的氮极性GaN薄膜,其(002)面和(102)面XRD摇摆曲线半高宽分别为88arcssec和172arcsec,该晶体质量可媲美于镓极性GaN薄膜.对于非故意掺杂的氮极性GaN薄膜,其电阻率可达1.7×104Ohm/sq.通过极化诱导p型掺杂的方法,获得了空穴浓度为1×1018cm-3的氮极性(Al)GaN薄膜.进一步,制备了氮极性GaN基的发光器件,包括氮极性GaN基紫外光、蓝光、绿光LED和氧极性n-ZnO/氮极性p-GaN异质结二极管.